MOS FET繼電器是指輸出元件使用了MOS FET半導(dǎo)體固態(tài)繼電器的一類新型電子集成器件。與以往的電磁繼電器或雙向可控硅固態(tài)繼電器相比，MOS FET固態(tài)繼電器具有不少獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，它可以替代機(jī)械繼電器并在環(huán)保上可作為水銀繼電器的替代產(chǎn)品，因而僅僅問世數(shù)年，便已在電話通信、工業(yè)控制、辦公娛樂等領(lǐng)域迅速推廣應(yīng)用。
歐姆龍不僅推出了世界最小的SSOP 封裝的G3VM系列MOS FET繼電器，更擁有高容量型與低C×R型等廣泛的產(chǎn)品陣容。以下就由廣州鼎悅電子為您列舉MOS FET繼電器的九大特點(diǎn)：
一、超小輕量型
歐姆龍的SSOP實(shí)現(xiàn)了世界最小尺寸。以領(lǐng)先一步的技術(shù)主導(dǎo)著市場。
二、低驅(qū)動電流
驅(qū)動電流為推薦動作條件（標(biāo)準(zhǔn)）的7.5～15mA。實(shí)現(xiàn)了低電流，并為節(jié)省能源做出了貢獻(xiàn)。
三、長壽命
通過光信號傳送方式，實(shí)現(xiàn)無接點(diǎn)構(gòu)造。避免了由接點(diǎn)磨損導(dǎo)致的壽命減短，可半永久性驅(qū)動。
四、漏電流微小
具有抗外來涌流的性能，并增加了緩沖電路，關(guān)閉時(shí)的漏電流極小。
五、優(yōu)異的抗沖擊性
內(nèi)部部件完全采用鑄造方式，而且沒有可移動部件，使其抗沖擊性、抗振性能都相當(dāng)優(yōu)越。
六、高絕緣性
把電信號轉(zhuǎn)換為光信號，通過光信號來傳輸，實(shí)現(xiàn)了電氣隔離。確保了在標(biāo)準(zhǔn)情況下輸入輸出間耐壓為AC2500V時(shí)實(shí)現(xiàn)了高絕緣性。
七、靜音
避免了機(jī)械繼電器因金屬接點(diǎn)所產(chǎn)生的開關(guān)聲，實(shí)現(xiàn)了靜音的功能。
八、高速響應(yīng)
與機(jī)械繼電器的3ms～5ms動作時(shí)間相比，動作時(shí)間提升至1ms。實(shí)現(xiàn)了快速響應(yīng)能力。
九、正確控制微小模擬信號
與三極管相比大大減少了死區(qū)，微小的模擬信號輸入波形也基本不會變形。
廣州鼎悅電子科技有限公司，專業(yè)代理銷售歐姆龍G3VM系列MOS FET繼電器。作為歐姆龍華南區(qū)代理商，我們將一如既往竭誠為您提供一流的品質(zhì)和一流的服務(wù)。
